磁控鍍膜機-磁控濺射有很多種。它們有不同的工作原理和應用對象。但有一個共同點：利用磁場和電場的相互作用，電子會在靶表面盤旋，從而增加電子撞擊氬產生離子的概率。在電場的作用下，產生的離子與靶材表面發生碰撞，飛濺出靶材。

目標源可分為平衡型和非平衡型。平衡型靶源涂層均勻，非平衡型靶源涂層與基體附著力強。平衡靶主要用于半導體光學薄膜，而非平衡靶主要用于裝飾膜的佩戴。根據磁場結構的分布，磁控管陰極大致可分為平衡磁控管陰極和非平衡磁控管陰極。平衡態磁控管陰極內外磁體的磁通量大致相等。兩極磁力線靠近靶面，將電子/等離子體限制在靶面附近，增加了碰撞概率，提高了電離效率。因此，輝光放電可以在較低的工作壓力和電壓下啟動和維持，靶材的利用率較高。非平衡磁控濺射技術的概念是磁控陰極外極的磁通量大于內極的磁通量，而兩極磁力線在靶面上并不是完全閉合的。一些磁力線可以沿著靶的邊緣延伸到基底區域，因此一些電子可以沿著磁力線延伸到基底區域，從而增加基底區域的等離子體密度和氣體電離率，無論平衡或非平衡，如果磁鐵是靜止的，其磁場特性決定了一般靶材利用率不到30%。為了提高靶材的利用率，可以采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要一個旋轉機構，濺射速率應降低。旋轉磁場主要用于大型或有價值的目標。如半導體薄膜濺射。對于小型設備和一般工業設備，通常采用磁性靜態目標源。

磁控管靶源濺射金屬及合金容易，點火、濺射方便。這是因為靶（陰極）、等離子體和飛濺的零件/真空腔可以形成一個回路。但如果陶瓷等絕緣體被濺射，電路就會斷開。所以人們采用高頻電源，在電路中加入一個強電容。這樣，目標成為絕緣電路中的電容器。但是，高頻磁控濺射電源價格昂貴，濺射速率小，接地技術復雜，難以大規模使用。為了解決這個問題，磁控反應濺射技術應運而生。即使用金屬靶，加入氬氣和氮氣或氧氣等反應氣體。當金屬靶與零件碰撞時，由于能量轉換，它與反應氣體結合形成氮化物或氧化物。磁控反應濺射絕緣體看似簡單，但實際操作起來卻很困難。主要問題是反應不僅發生在零件表面，而且發生在陽極、真空室和靶源表面。德國雷寶發明的雙靶技術很好地解決了這一問題。其原理是一對靶源相互連接，使陽極表面氧化或氮化。

冷卻對于所有的能源（磁控管、多弧、離子）都是必要的，因為大部分的能量都轉化為熱能。如果沒有冷卻或冷卻不足，熱量會使目標源的溫度達到1000度以上，從而使整個目標源熔化。